亚洲一二三区免费在线-国产午夜精品一区二区三区漫画-日本不卡视频一区二区-在线免费看一区二区三区

富士變頻器FRN200VG5S-4CX維修LU代碼解析-欠電壓故障維修

LU 欠電壓 電源電壓降低，使主電路直流電壓低到欠電壓檢出值以下時(shí),保護(hù)功能動(dòng)作。

富士變頻器報(bào)警LU代碼是什么情況｜富士變頻器欠電壓故障維修｜FUJI變頻器LU故障代碼修理

FUJI變頻器在開(kāi)關(guān)過(guò)程中

① 開(kāi)通時(shí)間Ton：從B極通入正向信號(hào)電流時(shí)起，到集電極電流上升到0.9 Ics 所需要的時(shí)間。

② 關(guān)斷時(shí)間Toff：從基極電流撤消時(shí)起，至Ic下降至0.1 Ics 所需的時(shí)間

開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間將直接影響到SPWM調(diào)制是的載波頻率。通常，使用GTR做逆變管時(shí)的載波頻率底于2KHz。

FUJI變頻器用GTR的選用

⑴Uceo 通常按電源線電壓U峰值的2倍來(lái)選擇。

Uceo≥2廠2U 　在電源電壓為380V的變頻器中，應(yīng)有 Uceo≥2廠2U*380V=1074.8V，故選用 Uceo=1200V的GTR是適宜的。

⑵Icm 按額定電流In峰值的2倍來(lái)選擇　 Icm≥2廠2 In 　 GTR是用電流信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的，所需驅(qū)動(dòng)功率較大，故基極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較復(fù)雜，并使工作頻率難以提高，這是其不足之處。 告訴大家的是MOSFET以及IGBT

1、 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（POWER MOSFET） 它的3個(gè)極分別是源極S、漏極D和柵極G

其工作特點(diǎn)是，G、S間的控制信號(hào)是電壓信號(hào)Ugs。改變Ugs的大小，主電路的漏極電流Id也跟著改變。由于G、S間的輸入阻抗很大，故控制電流幾乎為0，所需驅(qū)動(dòng)功率很小。和GTR相比，其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較簡(jiǎn)單，工作頻率也比較高。此外，MOSFET還具有熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大 等優(yōu)點(diǎn)。

但是，功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進(jìn)展較慢，故在G11S變頻器中的應(yīng)用尚不能居主導(dǎo)地位。

2、 絕緣柵雙極晶體管（IGBT） IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物，是柵極為絕緣柵結(jié)構(gòu)（MOS結(jié)構(gòu)）的晶體管，它的三個(gè)極分別是集電極C、發(fā)射極E和柵極G。