霍廷格射頻電源維修：維修了一臺霍廷格的射頻電源，這個品牌使用還是很普遍的。剛開始客戶只給我們說了故障癥狀就讓我們報價，做過維修的都知道，只有故障的癥狀是無法準(zhǔn)確判斷出是哪些硬件壞了導(dǎo)致出現(xiàn)這種情況的，因此我們就讓客戶先把設(shè)備寄過來測試，測試后再報價。
霍廷格射頻電源故障原因分析如下：
1、電容器
盡管普遍認(rèn)為，電容器技術(shù)每年都在取得很大進展。然而，如果壓力過大，或者如果在生產(chǎn)中制造替代品或通過偽造，它們很容易出現(xiàn)故障。 電容器，尤其是電解電容器，會在許多不同的故障狀態(tài)下出現(xiàn)故障，包括膨脹、泄漏、爆炸、短路、電容下降或電路內(nèi) ESR 增加。有時過熱會導(dǎo)致電容器損壞。電解電容器可能會泄漏化學(xué)物質(zhì)，然后會因腐蝕、侵蝕 PCB 跡線和其他問題而導(dǎo)致進一步損壞。為防止出現(xiàn)故障，請使用好的的優(yōu)質(zhì)電容器。
另外，減額。使電容器盡可能保持涼爽并觀察紋波電流以確保它們不會受到過大的壓力。重要的是要知道電解電容器的存儲時間在沒有電源供電的情況下只能兩年，而這一點通常會被忽視。作為電源設(shè)計人員，我們會盡可能避免使用電解電容器，但如果我們無法避免使用它們，我們會得到我們所能找到的好的。
2、電源組件
如果散熱不足，或者如果漏極過壓、漏極過流、柵極過壓或內(nèi)部反并聯(lián)二極管過載，射頻電源開關(guān)元件（或 MOSFETS）在電源運行中首當(dāng)其沖，有時會導(dǎo)致故障。適當(dāng)?shù)脑O(shè)計和組件的降額將大大有助于 MOSFET 在應(yīng)用中獲得良好的長時間。正確的設(shè)計、對控制電路的關(guān)注、回路測試和降額可以確保這些組件的正常運行和長時間。
由于散熱或熱管理、氣流等不當(dāng)，功率二極管也可能發(fā)生故障。肖特基二極管會因驅(qū)動電感電路中的過電壓而損壞。在過壓期間，它們不像 MOSFET 那樣寬容。此外，整流器中的開關(guān)損耗可能是一個很大的熱源。當(dāng)開關(guān)時間隨著溫度的升高而稍微延長時，可能會出現(xiàn) TRR 尾部，從而導(dǎo)致熱量上升，并且可能會出現(xiàn)正反饋環(huán)路并損壞部件。在設(shè)計過程中必須仔細考慮這個潛在問題，以保持低功耗。正確的設(shè)計、組件選擇和特性以及降額，將創(chuàng)造奇跡。
3、環(huán)境原因
當(dāng)使用進入霍廷格射頻電源通風(fēng)口和風(fēng)扇端口的消毒溶液清潔設(shè)備時，有時會在醫(yī)療電子設(shè)備中看到因濕氣進入而導(dǎo)致的環(huán)境問題（取消風(fēng)扇的另一個原因）。水分會腐蝕電子設(shè)備并導(dǎo)致故障。來自用戶環(huán)境的其他故障模式包括遠高于額定值和許多 IEC 標(biāo)準(zhǔn)的浪涌和瞬變，這通常會損壞射頻電源前端的半導(dǎo)體組件。
這些環(huán)境問題中的一些可以通過應(yīng)用程序中的設(shè)計來控制，而另一些則不能。 其他環(huán)境問題是雷擊和其他感應(yīng)電源線浪涌和瞬變。通過仔細設(shè)計和測試電源以及添加外部保護組件，可以大限度地減少這些原因造成的損失。
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